特許
J-GLOBAL ID：200903010936460454
半導体集積回路装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-256540
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125463
出願日： 1994年10月21日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】MOSトランジスタを用いて構成された増幅回路において、簡単な回路構成によりMOSトランジスタのオフセット電圧を確実に調整する。【構成】 入力部In1,2から増幅される信号が入力される前に、MOSトランジスタ6をONし、MOSトランジスタ2,3のゲートG1,G2を短絡させ、その時に出力Out1,Out2に印加される電圧をMOSトランジスタ7,8をONさせ、オペアンプ9に入力する。その電位差は、オペアンプ9から出力され、コンデンサ10に充電される。増幅回路1が増幅動作を行う時は、MOSトランジスタ6〜8はOFFとなり、コンデンサ10に蓄積された電荷がSOI構造のMOSトランジスタ3の基板バイアス部KB1に印加され、オフセット電圧が調整される。
請求項（抜粋）：
MOSトランジスタを用いて増幅回路が構成された半導体集積回路装置であって、前記増幅回路に、所定の前記MOSトランジスタにおける基板バイアス部にオフセット電圧を調整するオフセット調整電圧を印加するオフセット電圧調整手段を設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
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