基板処理方法および基板処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋本正実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-292897
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236508
出願日： 1983年11月09日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【課題】半導体装置製造時の食刻、成膜、ベーキング処理において、処理中の基板温度を効果的に制御できる基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】所定の圧力に排気された処理室12内でプラズマを発生させて基板19を処理する際に、表面を絶縁膜で被覆して温度制御された支持台17の表面に前記基板19を機械的に接触させることにより、前記支持台17で前記基板19を支持させ、前記絶縁膜表面と前記基板19との間に熱伝達用のガスを介在させ、前記支持台17と前記基板19との間の熱伝達を行わせながら、前記処理室12内にプラズマを発生させて該プラズマにより前記基板の処理を行う。

請求項（抜粋）：

所定の圧力に排気された処理室内でプラズマを発生させて基板を処理する基板処理方法であって、表面を絶縁膜で被覆して温度制御された支持台の前記絶縁膜表面に、静電気力により前記基板を機械的に接触させることにより前記支持台で前記基板を支持する工程と、前記絶縁膜表面と前記基板との間に熱伝導用のガスを介在させる工程と、前記処理室内にプラズマを発生させて該プラズマにより前記基板の処理を行う工程とを有し、前記絶縁膜表面と前記支持台で支持された基板との間に介在させた前記熱伝達用のガスにより前記支持台と前記基板との間の熱伝導を行うことを特徴とする基板処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/203 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/302 A , C23F 4/00 A , H01L 21/203 Z , H01L 21/31 C , H05H 1/46 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭58-032410
特開昭56-163272

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