特許
J-GLOBAL ID：200903010944116908
ダイヤモンド薄膜電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-313151
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163892
出願日： 1992年11月24日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 p型半導体ダイヤモンド活性層の膜厚及びBドーピング量を適切に設定し、ゲート電圧によるソース-ドレイン間電流の変調度が十分に大きいと共に、水蒸気の吸着にも拘らず、トランジスタ特性の劣化を回避することができるダイヤモンド薄膜電界効果トラジスタを提供する。【構成】 p型不純物の濃度が1017乃至1020/cm3、膜厚が0.14μm以下のp型半導体ダイヤモンドからなる活性層3と、このp型半導体ダイヤモンド活性層上に電気絶縁性のダイヤモンド層4を介して形成されたゲート電極7とを有する。更に、ホール濃度が1019/cm3以上である導電性のダイヤモンド層8がp型半導体ダイヤモンド活性層3とソース電極5との間及びp型半導体ダイヤモンド活性層3とドレイン電極6との間に夫々形成されており、電気絶縁性のダイヤモンド層4は導電性ダイヤモンド層8の一部に積層された構造を有する。
請求項（抜粋）：
p型不純物の濃度が1017乃至1020/cm3、膜厚が0.14μm以下のp型半導体ダイヤモンドからなる活性層と、このp型半導体ダイヤモンド活性層上に絶縁層を介して形成されたゲート電極とを有することを特徴とするダイヤモンド薄膜電界効果トランジスタ。
引用特許：
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