半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：武顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-238794
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057251
出願日： 2000年08月07日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】半導体素子1表面のスクライブライン上にある位置合わせマークを透過性薄膜3(2)、5(2)で覆うことにより、位置合わせマークの認識と薬液からの保護とを両立させた半導体装置及びその製造方法の提供する。【解決手段】一面に集積回路及び電極パッド2が形成された半導体素子1と、半導体素子1上に設けた応力緩衝層3と、応力緩衝層に設けた開口3(1)を通して電極パッド1から応力緩衝層3上面まで延びるリード配線部4と、応力緩衝層3上面のリード配線部4上に配置した外部電極5と、外部電極5の配置部分を除いた応力緩衝層3上及び各導電部分4上に設けた導体部保護層5とを有する半導体装置であり、導体部保護層5は、端面が半導体素子1の端面と同一面まで延長された端部領域7を有し、端部領域7の厚さがそれ以外の領域の厚さよりも薄く形成されている。

請求項（抜粋）：

一面に集積回路及び電極パッドが形成された半導体素子と、前記半導体素子上に設けた応力緩衝層と、前記応力緩衝層に設けた開口を通して電極パッドから前記応力緩衝層上面まで延びるリード配線部と、前記応力緩衝層上面の前記リード配線部上に配置した外部電極と、前記外部電極の配置部分を除いた前記応力緩衝層上及び前記各導電部分上に設けた導体部保護層とを有する半導体装置において、前記導体部保護層は、端面が前記半導体素子の端面と同一面まで延長された端部領域を有し、前記端部領域の厚さがそれ以外の領域の厚さよりも薄く形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 23/29 , H01L 23/31 , H01L 21/56 , H01L 21/60 311 , H01L 21/301 , H01L 23/12 501 , H01L 23/28

FI (7件)：

H01L 21/56 E , H01L 21/60 311 Q , H01L 23/12 501 P , H01L 23/28 J , H01L 23/30 B , H01L 21/78 Q , H01L 21/78 B

Fターム (18件)：

4M109AA02 , 4M109BA03 , 4M109BA05 , 4M109CA12 , 4M109DA04 , 4M109DA07 , 4M109DB15 , 5F044QQ04 , 5F044QQ06 , 5F044QQ09 , 5F044RR18 , 5F044RR19 , 5F061AA02 , 5F061BA03 , 5F061BA05 , 5F061CA12 , 5F061CB02 , 5F061CB13

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