特許

J-GLOBAL ID：200903010959109800

半導体ウエーハ中の重金属不純物を除去する方法およびこの工程を有する半導体ウエーハの製造方法

発明者： 砂川 健 ,  小出 任子
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-055956
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238738
出願日： 1998年02月20日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 サンドブラストあるいは熱処理のような二次的な汚染が発生し易い前処理が不要で、酸素濃度等のウエーハ品質に影響されることもないとともに、重金属不純物を除去するための熱処理も不要で、半導体ウエーハの製造工程の所望とされるどの段階でも適用でき、したがって除去能力の低下といった問題のない、重金属不純物を除去する方法を提供する。【解決手段】 半導体ウエーハの表面にX線照射あるいは電界印加をするにより、ウエーハ内の重金属不純物を表面又は表面近傍に凝集させ、次いで重金属凝集層を除去することによって、半導体ウエーハ中の重金属不純物を除去する方法、および、この重金属不純物を除去する方法を、半導体ウエーハの製造方法の一工程とする半導体ウエーハの製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体ウエーハの表面にX線を照射することにより、ウエーハ内の重金属不純物を表面又は表面近傍に凝集させ、次いで重金属凝集層を除去することによって、半導体ウエーハ中の重金属不純物を除去する方法。

IPC (5件)：

H01L 21/322 ,  B01J 19/12 ,  C30B 33/04 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/3065

FI (7件)：

H01L 21/322 Z ,  H01L 21/322 G ,  B01J 19/12 F ,  B01J 19/12 C ,  C30B 33/04 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 21/302 N