発光装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-296144
公開番号（公開出願番号）：特開2009-123908
出願日： 2007年11月14日
公開日（公表日）： 2009年06月04日
要約：

【課題】透明な素子基板を有するGaN系LEDチップを用いた発光装置の、更なる出力の向上を図ること。【解決手段】発光装置100は、おもて面21aおよび裏面21bを有する透明な板材21と、板材21のおもて面21a上の一部に固定されたGaN系LEDチップ30と、を含んでいる。GaN系LEDチップ30は、透明な素子基板31と、素子基板31上に形成されたGaN系半導体のエピタキシャル膜32と、エピタキシャル膜32上に形成された正電極および負電極とを有している。板材21と素子基板31とは、お互いが光学的に結合されるように接着されている。板材21は、おもて面21aの表面粗度が裏面21bの表面粗度よりも大きい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

おもて面および裏面を有する透明な板材と、該板材のおもて面上の一部に固定されたGaN系LEDチップと、を含み、該GaN系LEDチップは、透明な素子基板と、該素子基板上に形成されたGaN系半導体のエピタキシャル膜と、該エピタキシャル膜上に形成された正電極および負電極とを有し、前記板材と前記素子基板とは、お互いが光学的に結合されるように接着されており、前記板材は、おもて面の表面粗度が裏面の表面粗度よりも大きい、発光装置。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (8件)：

5F041AA04 , 5F041CA40 , 5F041DA01 , 5F041DA07 , 5F041DA12 , 5F041DA19 , 5F041DA34 , 5F041DA35

引用特許：

出願人引用 (1件)

発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-043109 出願人：豊田合成株式会社

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