特許
J-GLOBAL ID：200903010965593013
Alコンタクト構造およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-021644
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216064
出願日： 1993年01月18日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 Siデバイスのコンタクト構造において、バリアメタルなしに、高信頼性、低抵抗性、製造容易性を同時に実現するAlコンタクト構造を提供する。【構成】 Si基板に直接Alを接触させたコンタクト構造において、界面ゆらぎを、界面に平行な方向に10nmあたり4原子層未満に抑える。あるいはSi基板とAlコンタクトの方位関係が、界面に平行な面内でAl<220>//Si<220>であるようにAl結晶を成長する。
請求項（抜粋）：
Si基板に直接Alを接触させた構造を持つAlコンタクト構造において、Si/Al界面のゆらぎが、界面に平行な方向に10nmあたり4原子層未満であるような平坦な界面を持つことを特徴とするAlコンタクト構造。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/285
