特許

J-GLOBAL ID：200903010967263622

有機半導体素子、その製造方法および有機半導体装置

発明者： 海野 章
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-179468
公開番号（公開出願番号）：特開2004-023021
出願日： 2002年06月20日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】ペンタセン蒸着膜の結晶状態を制御すことができ、低電圧駆動で高い移動度を有する有機半導体素子を提供する。【解決手段】基板102の表面にゲート電極101が設けられ、その上にゲート絶縁層103が設けられ、該ゲート絶縁層103の表面に表面エネルギーの低い島状突起が分散して形成されている島状突起層104が設けられ、該島状突起層104の上にソース電極106とドレイン電極107が間隔をおいて設けられ、その上に有機半導体層105が島状突起層104と両電極106,107と接して設けられ、さらに有機半導体層105の上に保護膜108が設けられている有機半導体素子。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板の表面に、ゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体層、ソース電極/ドレイン電極、及び保護膜が設けられている有機半導体素子において、前記有機半導体層に接して表面エネルギーの低い島状突起が分散して形成されている島状突起層が設けられていることを特徴とする有機半導体素子。

IPC (2件)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (2件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/28

Fターム (35件)：

5F110AA07 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF10 ,  5F110FF22 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG17 ,  5F110GG22 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 有機半導体装置及び液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-264964   出願人：株式会社日立製作所