特許

J-GLOBAL ID：200903010972186822

半導体装置及びその製造方法

発明者： 牛膓 哲雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-225342
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070086
出願日： 1996年08月27日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】 オフセット絶縁膜を有する、複数列の並列配置された第1の導電層の間に、第2の導電層と基板とを接続する際に、配線短絡が生じないような自己整合コンタクトを備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本半導体装置10は、シリコン基板12のp-ウエル領域14上に形成された2列のゲート電極16と、ゲート電極間で基板のn+領域32と接続する配線18とを備えている。ゲート電極は、その側壁に、CVD-SiO2膜26、CVD-BPSG膜をリフローさせてなるLDD・サイドウォール・スペーサ28及びCVD-SiO2 層間絶縁膜30を備えている。スペーサ28は、ゲート電極16のオフセット絶縁膜24から下方斜めに滑らかな緩傾斜で延在している。n+領域32は、その上のCVD-SiO2 膜26、スペーサ28及び層間絶縁膜30を貫通する開口を介して、配線18に接続している。

請求項（抜粋）：

オフセット絶縁膜を上部に、かつ側方にLDDサイドウォール・スペーサを有して、基板上に並列配置された複数列の第1の導電層と、第1の導電層の間に設けられ、基板の拡散領域と第2の導電層とを接続する自己整合コンタクトとを備え、第1の導電層のLDDサイドウォール・スペーサが、下方斜めに滑らかな緩傾斜で延在するようにドープト酸化膜をリフローさせてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/28 L ,  H01L 21/283 G ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/90 C