特許

J-GLOBAL ID：200903010979320435

半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者： 西口 晴美
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-327776
公開番号（公開出願番号）：特開平7-131117
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 中央部に多層半導体部を、周囲部に電流狭窄部を有する半導体レーザ素子において、高速変調を可能とし、製造を容易にする。【構成】 電流狭窄部37に対して直列方向に誘電体絶縁膜41を塗布する。電流狭窄部37の一部に上面開放溝73を形成する。【効果】 簡単な構成で、電流狭窄部に発生する寄生容量を低減する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板の上面中央部に配され活性層およびその上下を挟む所定のキャリア濃度の一対のクラッド層を有する多層半導体部と、該多層半導体部が形成されていない前記半導体基板の全上面に形成された電流狭窄部と、該電流狭窄部および前記多層半導体部の上面に平滑に形成されたコンタクト層と、該コンタクト層の上面に被覆され中央部にレーザ光が出射される方向に沿って所定幅の電極コンタクト孔を有する誘電体絶縁膜と、前記半導体基板の下面に形成され第1の電位を与える第1電極と、前記誘電体絶縁膜の上面の少なくとも一部および前記電極コンタクト孔内に形成され第2の電位を与える第2電極とを備える半導体レーザ素子。