特許

J-GLOBAL ID：200903010991723235

レジスト組成物とレジストパターンの形成方法

発明者： 小林 倫子 ,  福山 俊一 ,  大倉 嘉之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-017983
公開番号（公開出願番号）：特開平5-216232
出願日： 1992年02月04日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 レジスト組成物とレジストパターンの形成方法に関し、解像性と耐ドライエッチング性に優れたレジストを実用化することを目的とする。【構成】 アルカリ可溶性樹脂とアルコキシメチルメラミンと酸発生剤とよりなるレジストにシリカゾルを添加してレジスト組成物を作り、このレジストを二層構造の上層レジストとして使用し、紫外線の選択露光を行って後、アルカリ現像を施して上層レジストパターンを作り、この上層レジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行い、このパターンを下層レジストに転写することを特徴としてレジストパターンの形成方法を構成する。

請求項（抜粋）：

アルカリ可溶性樹脂とアルコキシメチルメラミンと酸発生剤とよりなるレジストに、シリカゾルを添加してなることを特徴とするレジスト組成物。

IPC (8件)：

G03F 7/038 505 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/028 ,  G03F 7/075 501 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/302