特許
J-GLOBAL ID：200903010996009085
薄膜半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-186265
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032081
出願日： 1994年07月14日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 薄膜トランジスタにおいて、リーク電流の低減を図る。【構成】 薄膜半導体領域1のゲイト電極4の下のエッヂに接した部分に、ソース/ドレイン5,6とは逆の導電型を示す不純物領域2,3を設けることにより、ソース、ドレイン間のリーク電流を減少させる。
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に形成された島状の薄膜半導体領域と、前記半導体領域を横断するゲイト電極とを有する薄膜半導体装置において、前記半導体領域は第1の導電型のソースおよびドレインと、前記ソースおよびドレインの間の実質的に真性の領域と、前記真性の領域に接して、少なくとも2つの、前記ソースおよびドレインとは逆の第2の導電型の不純物領域と、を有し、前記第2の導電型の不純物領域は、ソースおよびドレインには接しず、かつ、薄膜半導体領域のエッヂに接することを特徴とする薄膜半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
