特許

J-GLOBAL ID：200903010997346468

エッチング方法

発明者： 植田 慶一 ,  久保 博稔
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-090631
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283483
出願日： 1993年03月24日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 この発明は、熱処理をせずに、ラウンド形状を有するエッチング孔を高精度に、かつ、再現性良く形成できるようにしたエッチング方法を提供することを目的とする。【構成】 エッジ部がラウンド形状に形成されたエッチング孔9を形成するエッチング方法において、酸化膜3上に開口部4aを有するフォトレジストマスク4を形成し、この開口部4aにイオン注入により不純物6を注入してから、フォトレジストマスク4を除去する。この後、開口部4aよりも小さい開口部7aを有するレジストマスク7を形成し、酸化膜3の表面部に等方性エッチングによりラウンド形状のエッチング孔8を形成した後、異方性エッチングによりそのエッチング孔8内にそのエッチング孔8よりも小径のエッチング孔9を掘り下げる。

請求項（抜粋）：

エッジ部がラウンド形状に形成されたエッチング孔を形成するエッチング方法において、酸化膜上に開口部を有するフォトレジストマスクを形成し、該開口部にイオン注入により不純物を注入してから、フォトレジストマスクを除去し、この後、上記開口部よりも小さい開口部を有するレジストマスクを形成し、酸化膜の表面部に等方性エッチングによりラウンド形状のエッチング孔を形成した後、異方性エッチングによりそのエッチング孔内にそのエッチング孔よりも小径のエッチング孔を掘り下げることを特徴とするエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/306