特許
J-GLOBAL ID：200903010999037136
レジストパターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阿仁屋 節雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-274097
公開番号（公開出願番号）：特開平6-123976
出願日： 1992年10月13日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】 レジストパターンの線幅にばらつきが生じたり、ピンホールが発生することを防止する。【構成】 ポジ型レジスト3にパターン露光(第1露光工程)を施した後にベーキング処理をし、次いで全面露光(第2露光工程)して現像することにより、ネガ型レジストパターンを得る場合において、第1露光工程の露光量を該第1露光工程における露光部の現像後の残膜率が最大となるための露光量の1.5〜4倍に設定した。
請求項（抜粋）：
露光後熱を加えることにより現像液に溶けにくくなる性質を有するポジ型レジスト膜に、所望のパターンに従って露光する第1露光工程と、前記露光したポジ型レジスト膜に熱を加えるベーキング工程と、前記熱を加えたポジ型レジスト膜の全面を露光する第2露光工程と、前記第1露光工程における非露光部分の除去を行う現像工程とを有するレジストパターンの形成方法であって、前記第1露光工程における露光量を、前記現像工程後に前記第1露光工程の露光部の残膜率が最大となるための露光量の1.5〜4倍に設定することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/38 511
, G03F 7/20 521
, H01L 21/027
