特許

J-GLOBAL ID：200903011001003116

電流検出回路

発明者： 村上 浩一 ,  大道 基浩
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-243063
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111524
出願日： 1994年10月06日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：

【要約】【目的】主素子に流れる主電流の一部を分流させるための分流素子に流れる分流電流を検出抵抗に流してその両端の電圧降下を制御用トランジスタにより検出する場合に、制御用トランジスタのベース・エミッタ間閾値電圧の温度依存性を補償し、動作中に常にほぼ一定のポイントで出力電流を検出する。【構成】主素子用トランジスタ1に流れる主電流の一部を分流させるための分流用トランジスタ2に流れる分流電流を検出抵抗Rsに流してその両端の電圧降下をバイポーラ型あるいはMOS型の制御用トランジスタ3により検出する電流検出回路において、制御用トランジスタのベースあるいはゲートと分流用トランジスタのエミッタとの間に接続された温度特性補償用のダイオード12と、ダイオードに主電流が流れている期間中は常に順バイアスを与えるための順バイアス発生用の抵抗素子13とを具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

主素子用の第1の絶縁ゲート型トランジスタとコレクタ同士あるいはドレイン同士が接続されると共にゲート同士が接続され、上記第1の絶縁ゲート型トランジスタに流れる主電流の一部を分流させるための分流用の第2の絶縁ゲート型トランジスタと、上記第2の絶縁ゲート型トランジスタに流れる分流電流が流れる電流検出用抵抗と、上記電流検出用抵抗の電圧降下を検出するバイポーラ型あるいはMOS型の制御用トランジスタと、上記制御用トランジスタのベースあるいはゲートと前記第2の絶縁ゲート型トランジスタのエミッタあるいはソースとの間に接続された温度特性補償用のダイオードと、上記ダイオードに前記主電流が流れている期間中は常に順バイアスを与えるための順バイアス発生用の抵抗素子とを具備することを特徴とする電流検出回路。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 23/58 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (6件)：

H01L 29/78 655 Z ,  H01L 23/56 C ,  H01L 23/56 D ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/78 301 W ,  H01L 29/78 301 K