特許
J-GLOBAL ID：200903011006588449
ホトマスクの製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-312896
公開番号（公開出願番号）：特開平6-138640
出願日： 1992年10月28日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 ハードブランクを選択エッチングしてホトマスクを製作する方法において、エッチング不良及びピンホール不良を防止する。【構成】 ガラス等のマスク基板10の表面にクロム等の遮光材層12を形成したハードブランクにおいて、所望のレジストパターン14Aを形成した後、微小孔14aへのエッチング液の浸入を容易にするためパターン上面に純水をスプレーディップする。このとき、レジスト表面と純水との摩擦による帯電のため遮光材層12の一部が静電破壊され、ピンホールになることがある。このようなピンホール発生を防ぐため、パターン上面にエッチング液をスプレーディップして比抵抗を下げてから上記純水のスプレーディップを行ない、この後パターン14Aをマスクとするウェットエッチングを行なう。
請求項（抜粋）：
マスク基板の表面に形成された遮光材層の上に所望のレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンに対して帯電防止処理を施す工程と、前記レジストパターンに対して前記帯電防止処理の実施中又はその後にプリウェット処理を施す工程と、前記プリウェット処理の後前記レジストパターンをマスクとするウェットエッチングにより前記遮光材層を選択的にエッチングすることにより前記遮光材層の残存部からなる遮光パターンを形成する工程とを含むホトマスクの製法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G03F 7/38 511
, H01L 21/027
