特許
J-GLOBAL ID:200903011009450251
半導体装置と回路基板との接続構造
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-309632
公開番号(公開出願番号):特開平10-150254
出願日: 1996年11月20日
公開日(公表日): 1998年06月02日
要約:
【要約】【課題】 半導体素子の作動に伴う発熱によって半導体装置の接続パッドおよび回路基板の接続電極とほぼ球状の端子との接合部に熱応力による疲労破壊が発生し、両者を長期間にわたり安定して電気的に接続できなかった。【解決手段】 半導体装置の絶縁基体7の第1凹部7b内の第1窪み12aを有する接続パッド12を、接続パッド12に対応した回路基板15の第2凹部15a内の第2窪み16aを有する接続電極16に、ほぼ球状の突出部13aを有する端子13を介して接続する構造であって、第1窪み12aと第2窪み16aの曲率半径をR<SB>1 </SB>とR<SB>2</SB>、第1凹部7bと第2凹部15aの半径をr<SB>1 </SB>とr<SB>2 </SB>、深さをd<SB>1 </SB>とd<SB>2 </SB>としたとき、条件式1<R<SB>1 </SB>/r<SB>1 </SB>≦9、R<SB>1 </SB>≧(r<SB>1 </SB><SP>2 </SP>+d<SB>1 </SB><SP>2 </SP>)/2d<SB>1 </SB>、1<R<SB>2</SB>/r<SB>2 </SB>≦9、R<SB>2 </SB>≧(r<SB>2 </SB><SP>2 </SP>+d<SB>2 </SB><SP>2 </SP>)/2d<SB>2 </SB>を満足させることにより、接続パッド12および接続電極16と端子13との接合部の疲労破壊を防止する。
請求項(抜粋):
上面に半導体素子が載置され、下面に多数の第1凹部を有する絶縁基体と、前記第1凹部内に形成され、前記絶縁基体内に配設された導体層を介して前記半導体素子と電気的に接続されている複数個の接続パッドと、該接続パッドに接合され、前記絶縁基体の下面にほぼ球状の突出部を有する端子とを具備する半導体装置を、上面に前記接続パッドに対応した多数の第2凹部を有し、該第2凹部内に接続電極が形成された回路基板に、前記接続パッドと前記接続電極とを前記端子を介して接続する半導体装置と回路基板との接続構造であって、前記接続パッドはその下面に円弧状の第1窪みを、前記接続電極はその上面に円弧状の第2窪みを有し、第1窪みおよび第2窪みの曲率半径をR<SB>1 </SB>およびR<SB>2 </SB>、第1凹部および第2凹部の半径をr<SB>1 </SB>およびr<SB>2 </SB>、第1凹部および第2凹部の深さをd<SB>1 </SB>およびd<SB>2 </SB>としたとき、下記条件式を満足することを特徴とする半導体装置と回路基板との接続構造。1.0<R<SB>1 </SB>/r<SB>1 </SB>≦9.0R<SB>1 </SB>≧(r<SB>1 </SB><SP>2 </SP>+d<SB>1 </SB><SP>2 </SP>)/2d<SB>1</SB>1.0<R<SB>2 </SB>/r<SB>2 </SB>≦9.0R<SB>2 </SB>≧(r<SB>2 </SB><SP>2 </SP>+d<SB>2 </SB><SP>2 </SP>)/2d<SB>2</SB>
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