特許
J-GLOBAL ID：200903011014192872

加速度センサ及びその製造方法

発明者：
渡辺 明彦

渡辺 明彦 について

, 
石田 竜也

石田 竜也 について


出願人/特許権者：
株式会社東海理化電機製作所

株式会社東海理化電機製作所 について


代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-035512
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236783
出願日： 1995年02月23日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【目的】 高感度な加速度センサを提供すること。【構成】 この加速度センサ1は、p型単結晶シリコン基板2上に形成された櫛歯状の可動電極4及び固定電極3間における静電容量の変化に基づいて加速度を検出する。固定電極3及び可動電極4は、ともにn型単結晶シリコンのエピタキシャル成長層5からなる。少なくとも固定電極3の下部及び可動電極4における非櫛部4bの下部には、多孔質化した酸化シリコンからなる絶縁層6が形成されている。この絶縁層6は、固定電極3と可動電極4とを電気的に絶縁している。可動電極4の櫛部4aは、加速度が付加したときに所定方向へ変位する。その結果、両電極3,4間の静電容量が変化する。
請求項（抜粋）：
p型単結晶シリコン基板(2)上に形成された櫛歯状の固定電極(3)及び可動電極(4)間における静電容量の変化に基づいて加速度を検出する加速度センサ(1,21)であって、前記固定電極(3)及び前記可動電極(4)は、ともにn型単結晶シリコンのエピタキシャル成長層(5)からなり、少なくとも前記固定電極(3)の下部及び前記可動電極(4)における非櫛部(4b)の下部には、多孔質化した酸化シリコンからなる絶縁層(6)が形成されている加速度センサ。
IPC (2件)：
H01L 29/84 ,  G01P 15/125
FI (2件)：
H01L 29/84 A ,  G01P 15/125
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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