半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-232530
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050748
出願日： 2000年07月31日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】COB型DRAMを備えた半導体装置に関し、膜厚の異なるビット線と配線のパターン精度を高くし、セルフアラインでビット線間に形成されるスルーホールを浅くし、ビット線と配線を低抵抗化すること。【解決手段】半導体基板1の上に形成された第1の絶縁膜と、第1の領域において第1の絶縁膜28に形成された第1の配線溝28eと、第2の領域において第1の絶縁膜28に形成され、且つ第1の配線溝28eと同じ深さを有する第2の配線溝28fと、第1の配線溝28eの下部に埋め込まれ第1の配線6と、第1の配線溝28eの上部に埋め込まれ、且つ第1の絶縁膜28と異なる材料から形成された第2の絶縁膜35と、第2の配線溝28f内で前記第1の配線6と同じ導電材から構成され、且つ第1の配線6よりも厚く形成され第2の配線13とを含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板の第1の領域の上にゲート絶縁膜を介して形成されるゲート電極と、該ゲート電極の両側の前記半導体基板に形成される第1及び第2の不純物拡散層から構成されるトランジスタと、前記半導体基板の第2の領域の上に形成される導電パターンと、前記半導体基板の上に形成されて前記トランジスタと前記導電パターンを覆う第1の絶縁膜と、前記第1の領域において、前記トランジスタよりも上の位置で前記第1の絶縁膜に形成された第1の配線溝と、前記第2の領域において、前記第1の絶縁膜に形成され、且つ前記第1の配線溝と実質的に同じ深さの底面を有する第2の配線溝と、前記第1の配線溝の下の前記第1の絶縁膜内であって前記トランジスタの前記第1の不純物拡散層の上に形成される第1のホールと、前記第1の配線溝の下部に埋め込まれ且つ前記第1のホールを通して前記第1の不純物拡散層に電気的に接続される第1の配線と、前記第1の配線溝の上部に埋め込まれ、且つ前記第1の絶縁膜と異なる材料から形成された第2の絶縁膜と、前記第2の配線溝内で前記第1の配線と同じ導電材から構成され、且つ前記第1の配線よりも厚く形成され、前記導電パターンに電気的に接続される第2の配線とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 27/10 621 C , H01L 21/90 B , H01L 21/90 D , H01L 27/10 681 B

Fターム (78件)：

5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH25 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ04 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ25 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK04 , 5F033KK25 , 5F033KK28 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM07 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ16 , 5F033QQ25 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ74 , 5F033QQ75 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR12 , 5F033RR15 , 5F033SS11 , 5F033TT08 , 5F033XX02 , 5F033XX09 , 5F033XX33 , 5F083AD10 , 5F083AD24 , 5F083AD48 , 5F083AD56 , 5F083AD62 , 5F083GA02 , 5F083GA28 , 5F083JA06 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA31 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083KA05 , 5F083MA04 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083NA02 , 5F083PR04 , 5F083PR21 , 5F083PR29 , 5F083PR39 , 5F083PR40 , 5F083PR52

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