特許
J-GLOBAL ID:200903011024707099

臭いセンサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 草野 卓 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-151325
公開番号(公開出願番号):特開平11-344457
出願日: 1998年06月01日
公開日(公表日): 1999年12月14日
要約:
【要約】【課題】 省電力で小型、かつ連続使用が可能なものとする。【解決手段】 絶縁基板21上に電極22,23が形成され、これら電極22,23間に酸化ニッケルなどの金属酸化物半導体層24が形成され、その上にチタン酸ニッケルなどの金属酸化物絶縁膜25が形成され、さらにその上に酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウムなどの感応膜26が形成されている。同様構造で感応膜26に臭いガスにほとんど感応しない参照膜29が形成された参照素子31が形成され、その検出値の差をとることにより、経年変化による影響が除かれる。
請求項(抜粋):
絶縁基板と、上記絶縁基板上に間隔を持って形成された一対の電極と、その両電極間にまたがって形成された金属酸化物半導体層と、上記金属酸化物半導体層上に形成された金属酸化物絶縁膜と、その金属酸化物絶縁膜上に形成された臭いガス感応性金属酸化物膜と、を具備する臭いセンサ。

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