特許

J-GLOBAL ID：200903011027748551

電界効果トランジスタ

発明者： 円城 啓裕
出願人/特許権者： 関西日本電気株式会社
代理人 (1件)： 江原 省吾 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-073539
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291321
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】 縦型MOSFETの耐圧向上。【構成】 ドレイン領域DとなるN型半導体基板(1)の表面側に複数のP型ベース領域Bを碁盤の目状に形成し、各ベース領域BにN型ソース領域Sを形成し、ベース領域Bとソース領域Sの間のチャネル部C上と、隣接するベース領域Bの間の上にゲート酸化膜(2)を介してゲート電極(3)を形成した縦型MOSFETで、半導体基板(1)表面側の隣接するベース領域B間に局部的に、ベース領域Bと同一導電型の半導体領域(8)を形成する。ドレイン領域Dとソース領域Sに逆バイアス電圧を印加したときにドレイン領域Dに発生する空乏層(7)の、隣接するベース領域B間での縦方向の延びを半導体領域(8)で抑制して、空乏層(7)をなだらかな、局部的にブレークダウンし難いものにして、縦型MOSFETの高耐圧化を可能にする。

請求項（抜粋）：

ドレイン領域となる半導体基板の表面側に所定の配列ピッチと形状で形成された複数のベース領域と、各ベース領域内に形成した複数のソース領域と、半導体基板表面近傍のベース領域とソース領域の間に形成されたソース・ドレイン導通用チャネル部上及び隣接するベース領域間上にゲート酸化膜を介して形成されたゲート電極を備えた縦型電界効果トランジスタにおいて、半導体基板表面の隣接するベース領域間に、ベース領域と同一導電型半導体領域を形成したことを特徴とする電界効果トランジスタ。

FI (2件)：

H01L 29/78 321 S ,  H01L 29/78 321 W

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭64-039069
  
• 特開昭64-039069