特許
J-GLOBAL ID：200903011027753814

プラズマ処理装置及びフォーカスリング

発明者：
遠藤 昇佐

遠藤 昇佐 について

, 
檜森 慎司

檜森 慎司 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-001536
公開番号（公開出願番号）：特開2004-235623
出願日： 2004年01月07日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：
【課題】 被処理基板の全面に亘って均一なプラズマ処理を施すことができ、従来に比べてプラズマ処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びフォーカスリングを提供する。【解決手段】 半導体ウエハWが載置され、下部電極を兼ねたサセプタ2上には、半導体ウエハWを囲むようにフォーカスリング6が設けられている。フォーカスリング6は、半導体ウエハWの外周縁部から間隔を設けて、半導体ウエハWの周囲を囲むように配置された薄板状のリング部材(薄型リング)6aと、下側リング部材(下側リング)6bとから構成されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
プラズマ処理室と 前記プラズマ処理室内に配置され、被処理基板が載置される載置台と、 前記被処理基板の外周縁部から間隔を設けて前記被処理基板の周囲を囲むように配置されたリング部材と、 前記被処理基板及び前記リング部材の下側に位置するように配置された下側リング部材と、 を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L21/3065 ,  C23C16/509 ,  C23C16/52 ,  H05H1/46
FI (5件)：
H01L21/302 101B ,  C23C16/509 ,  C23C16/52 ,  H05H1/46 L ,  H05H1/46 M
Fターム (17件)：
4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030KA14 ,  4K030KA15 ,  4K030KA30 ,  4K030LA02 ,  4K030LA12 ,  4K030LA18 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BB08 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BB32
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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