シリコンの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： , ,
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-250875
公開番号（公開出願番号）：特開2003-034519
出願日： 2001年07月18日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】太陽電池用高純度シリコンの亜鉛還元法製造装置のエネルギーコスト削減を図ると同時に、副成物の電解によるリサイクルを行い、系外への廃棄物を原則としてなくすこととした製造システム及び方法を提供する。【解決手段】気相法亜鉛還元法により高純度シリコンを製造するプロセスで副成する塩化亜鉛を電解により亜鉛及び塩素として回収し、亜鉛は四塩化珪素の還元用に、塩素は四塩化珪素生成の原料として再使用することにより、トータルシステムとしては系外への廃棄物を基本的になくすことにより、低コストで品質の安定した太陽電池用高純度シリコンを製造する。

請求項（抜粋）：

金属珪素を原料とし、塩素ガスを作用させて四塩化珪素を生成させ更に精留により高純度化し、当該高純度四塩化珪素と、高温により気化させた金属亜鉛を900〜1,100°Cの反応炉内においてガス・ガス接触させて高純度シリコンを製造する気相法亜鉛還元法プロセスにおいて、反応炉内で副成する塩化亜鉛を電気分解により塩素ガス及び高純度金属電解亜鉛として分離回収し、塩素ガスは精製後主原料の金属珪素と反応させて四塩化珪素とし、電解亜鉛は再度気化させ四塩化珪素と反応させて循環使用する、副成物の少ない高純度シリコンの製造方法。

IPC (2件)：

C01B 33/039 , C01B 33/033

FI (2件)：

C01B 33/039 , C01B 33/033

Fターム (9件)：

4G072AA01 , 4G072GG01 , 4G072GG03 , 4G072HH01 , 4G072HH08 , 4G072JJ09 , 4G072MM08 , 4G072RR04 , 4G072RR11

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