面発光素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩佐義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-014548
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232494
出願日： 1993年02月01日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】低抵抗でかつ、発光効率の高い面発光素子を実現する。【構成】面発光レーザ基板においてp型半導体多層反射膜6を素子サイズにエッチングし、メサ10を形成する。その後、メサの直上にメサより大きいディスク状のイオン注入用マスクを形成する。その後、ウェハの斜め上方から不純物原子を垂直方向からの角度76度の条件でウェハを回転させながら注入する。その後、下部に光を取り出すための窓を開けたn型電極13を形成した後、メサと電流注入領域を覆う大きさのp型電極14を形成する。

請求項（抜粋）：

選択的にエッチングされた上部半導体多層反射膜と、活性層を含む中間層と、下部半導体多層反射膜と、前記上部半導体多層反射膜およびその周囲を覆うように形成された電極と、電流狭搾のための高抵抗領域とを有する面型発光素子において、前記高抵抗領域は、表面では前記上部半導体多層反射膜よりも広い幅を有し、活性層の深さでは上部半導体多層反射膜と同じ幅にまで狭められた摺鉢状の形状を持つことを特徴とする面型発光素子。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-017382
特開平3-190181
特開平2-237088

前のページに戻る