特許
J-GLOBAL ID：200903011031540850
半導体薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-127201
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326419
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 大面積のSi基板上に、結晶欠陥やスリップ転位のない従来よりも膜質の優れたSi-Ge系半導体薄膜を形成する。【構成】 シリコン基板15を水素ガス雰囲気の反応炉に入れ、減圧下で赤外線ランプにより加熱処理しながら自然酸化膜61を除去する。その後、反応炉11内を約250〜350°Cの保持温度Toとする。次に、反応炉内をSiH<SB>4 </SB>対GeH<SB>4 </SB>の比が10:1の混合ガス雰囲気とし成膜処理温度Tsに急速加熱しながら基板上にSi<SB>1-X </SB>Ge<SB>X </SB>単結晶薄膜63(X<0.1)を50nm以下の膜厚で成長させる。連続して、反応炉内をSiH<SB>4 </SB>対GeH<SB>4 </SB>の比が4:1の混合ガス雰囲気とし成膜処理温度にてSi<SB>1-x </SB>Ge<SB>X </SB>薄膜63形成済み基板上にSi<SB>1-Y </SB>Ge<SB>Y </SB>単結晶薄膜65(Y≒0.2)を約250nmの膜厚で成長させる。
請求項（抜粋）：
同一反応炉内で、シリコン(Si)の下地上にSi-Ge(ゲルマニウム)系半導体薄膜を形成する方法において、反応炉内の反応性ガス雰囲気を、シリコンを含有するIV族水素系ガスとゲルマニウムを含有するIV族水素系ガスとの混合ガス雰囲気とし、かつ下地を加熱処理しながら、該下地の主表面上に単結晶のSi1-X GeX 薄膜をバッファ層として形成する工程と、前記反応炉内における前記混合ガス雰囲気中での、前記シリコンを含有するIV族水素系ガスに対する前記ゲルマニウム含有のIV族水素系ガスの相対ガス濃度を、前記バッファ層を形成したときの相対ガス濃度よりも高くし、かつ前記下地を加熱処理しながら、前記バッファ層上に単結晶のSi1-Y GeY 薄膜を形成する工程とを含む(ただし、Ge組成比X,Yは、0≦X≦0.1,0.1≦Y≦1を満足する値である。)ことを特徴とする半導体薄膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C30B 25/02
, C30B 25/10
