薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ回路、電子デバイスおよび電子機器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：増田達哉 , 朝比一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-050099
公開番号（公開出願番号）：特開2005-243822
出願日： 2004年02月25日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：

【課題】特性に優れた薄膜トランジスタを製造することができる薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタの製造方法により製造される薄膜トランジスタ、この薄膜トランジスタを備える薄膜トランジスタ回路、電子デバイスおよび電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、ソース電極およびドレイン電極が形成された基板上に、互いに相溶しない有機半導体層形成用材料および第1のゲート絶縁層形成用材料と、これらの材料の双方を溶解し得る溶媒とを含有する液状材料を供給して液状層9を形成する工程と、液状層9中から溶媒を除去することにより、主に有機半導体層形成用材料を含む第1のドメイン91’と主に第1のゲート絶縁層形成用材料を含む第2のドメイン92’とを、液状層9の厚さ方向に相分離させるとともに固化させて、有機半導体層と第1のゲート絶縁層とを得る工程とを有する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、前記ソース電極およびドレイン電極に対して前記ゲート電極を絶縁する有機絶縁体層と、該有機絶縁体層に接触する有機半導体層とを有する薄膜トランジスタを製造する方法であって、前記ソース電極およびドレイン電極、または、前記ゲート電極が形成された基板上に、前記有機半導体層を形成するための第1の材料と、該第1の材料と相溶しない前記有機絶縁体層を形成するための第2の材料と、前記第1の材料および前記第2の材料の双方を溶解し得る溶媒とを含有する液状材料を供給して液状層を形成する第1の工程と、前記液状層中から前記溶媒を除去することにより、主に前記第1の材料を含む第1のドメインと、主に前記第2の材料を含む第2のドメインとを、前記液状層の厚さ方向に相分離させるとともに固化させて、前記有機半導体層と前記有機絶縁体層とを得る第2の工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L21/336 , H01L21/368 , H01L21/47 , H01L29/786 , H01L51/00

FI (7件)：

H01L29/78 618A , H01L21/368 L , H01L21/47 , H01L29/78 618B , H01L29/78 617V , H01L29/78 617T , H01L29/28

Fターム (61件)：

5F053AA50 , 5F053DD19 , 5F053FF01 , 5F053HH10 , 5F053LL10 , 5F053PP20 , 5F053RR05 , 5F058AA10 , 5F058AC02 , 5F058AC05 , 5F058AC10 , 5F058AE02 , 5F058AG01 , 5F058AH02 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF06 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF35 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110HK38 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110QQ08

引用特許：

出願人引用 (1件)

溶液処理された素子
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-547677 出願人：プラスティックロジックリミテッド

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