特許
J-GLOBAL ID：200903011038198189
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-347064
公開番号（公開出願番号）：特開平11-168103
出願日： 1997年12月02日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：
【要約】【課題】 導電プラグに発生しがちなリセスを防止し、導電プラグが開孔から突出することなく層間絶縁膜との平坦性を向上させる。【解決手段】 下層にトランジスタが形成された層間絶縁膜8上にシリコン窒化膜31を介してシリコン酸化膜32を形成する。ここで、シリコン酸化膜32を、後工程で形成されるタングステンプラグ(Wプラグ)33に生じるリセス量を見込んで、このリセス量と同等の膜厚、例えば100nm程度に形成する。続いてコンタクト孔11を形成した後、このコンタクト孔11内にシリコン窒化膜31をストッパーとしてWプラグ33を充填形成し、シリコン酸化膜32を除去して、Wプラグ33をシリコン窒化膜31の表面に対して平坦化する。
請求項（抜粋）：
導電領域上に層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜上には配線層が加工形成されており、前記層間絶縁膜に形成された開孔を充填する導電プラグを通じて前記配線層が前記導電領域と接続されてなる半導体装置において、前記導電プラグの上面が前記層間絶縁膜の上面と略同一平面にあることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/768
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L 21/88 K
, H01L 21/90 C
, H01L 29/78 301 Y
