特許
J-GLOBAL ID：200903011043009726
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-145574
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343376
出願日： 1992年06月05日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し、半導体素子を形成した半導体基板を気泡の発生が起こりやすい接着剤を用いることなく、強固に他の支持基板に接着でき、薄層化できる半導体装置の製造方法の提供を目的とする。【構成】 表面に半導体素子を形成したSi基板3の表面側にシリコンの化合物膜11、シリコンを含む有機シリコン塗布ガラス膜12、シリコンの化合物膜11の被膜を積層して形成するとともに、支持基板6上にシリコンの化合物膜11の被膜を形成し、前記両者の基板3,6 を洗浄した後、該両者の基板3,6 上に形成した被膜同士を対向させて両者の基板3,6 を接着し、前記Si基板3の裏面側より該Si基板3を薄層化し、前記シリコンの化合物膜11の選択エッチング液を用いて、接着した両者の基板3,6 をエッチングし、前記シリコンの化合物膜11を除去することで、薄層化されたSi基板3を支持基板6より分離する工程を含むことで構成する。
請求項（抜粋）：
表面に半導体素子を形成した半導体基板(3) の表面側にシリコンの化合物膜(11)、シリコンを含む有機化合物膜(12)およびシリコンの化合物膜(11)を積層して形成するとともに、支持基板(6) 上にシリコンの化合物膜(11)を形成し、前記両者の基板(3,6) を洗浄した後、該両者の基板(3,6) 上に形成した被膜同士を対向させて両者の基板(3,6) を接着し、前記半導体基板(3) の裏面側より該半導体基板(3) を薄層化し、前記シリコンの化合物膜(11)の選択エッチング液を用いて、接着した両者の基板(3,6) をエッチングし、前記シリコンの化合物膜(11)を除去することで、薄層化された半導体基板(3) を支持基板(6) より分離する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, H01L 21/02
