特許

J-GLOBAL ID：200903011046100732

GaAs単結晶の製造方法及びその装置

発明者： 鈴木 隆
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-181161
公開番号（公開出願番号）：特開平11-029399
出願日： 1997年07月07日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：

【要約】【課題】COを含まないガスとCOを含むガスとをバルブの開閉により選択的に圧力容器内に導入する際に、バルブを開いた時に生じるガスの高速突入に起因するヒータ発熱量の変動をなくし、GaAs単結晶中の炭素濃度を成長方向で一定にする。【解決手段】GaAs単結晶3を液体封止引上法によって製造するに際し、圧力容器9内の雰囲気ガス中の一酸化炭素濃度に応じて2つのガス導入系51、52に設けたバルブ17、18を開閉制御し、第1のガスボンベ19からCOガスを含まないArガスを、第2のガスボンベ20からCOガスの混入したArガスを圧力容器9内に選択的に導入する。このガスが導入される圧力容器9のガス導入口9aに、多孔質のグラファイト製キャップ25を嵌めて、ガスが圧力容器9内に導入される時、ガスを分散してその流速を低減し、高速突入を阻止する。

請求項（抜粋）：

GaAs単結晶を液体封止引上法によって製造するに際し、圧力容器内の雰囲気ガス中の一酸化炭素濃度に応じて2つのガス導入系に設けたバルブを開閉制御し、2つのガス導入系から一酸化炭素ガスを含まない不活性ガスと一酸化炭素ガスの混入した不活性ガスを圧力容器内に選択的に導入することにより、GaAs単結晶に含まれる炭素濃度を制御するGaAs単結晶の製造方法において、上記一酸化炭素ガスを含まない不活性ガス及び一酸化炭素ガスの混入した不活性ガスを圧力容器内に導入する際に、ガスの流速を減速するようにしたことを特徴とするGaAs単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/42 ,  C30B 27/02 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 29/42 ,  C30B 27/02 ,  H01L 21/208 P