特許

J-GLOBAL ID：200903011046345719

導電パターン形成方法、導電パターン形成基板、電気光学装置、及び電子機器

発明者： 西條 豪師
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-217910
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063628
出願日： 2002年07月26日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】製造工程を簡略化すること。【解決手段】ITO膜6aを下ガラス基板2上に形成し、感光性樹脂からなるACFレジスト膜7をITO膜6aに対してレジストし、ACFレジスト膜7を所定のマスクを用いて露光・現像する。次に、このレジストパターンに従い、前記ITO膜6aをエッチングにより除去する。これにより、配線パターン6上にACFレジスト膜7が形成された状態になり、このレジストは剥離する必要がない。このため、製造工程が簡略化される。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

導電膜を基板に形成する工程と、 導電性粒子が混入された絶縁膜を、前記導電膜上に所定のパターンに形成する工程と、 前記絶縁膜の非形成領域に位置する前記導電膜の部分をエッチングする工程と、を含むことを特徴とする導電パターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L21/60 ,  G02F1/1345 ,  H05K3/32

FI (3件)：

H01L21/60 311Q ,  G02F1/1345 ,  H05K3/32 B

Fターム (17件)：

2H092GA33 ,  2H092GA48 ,  2H092HA25 ,  2H092MA10 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA37 ,  5E319AA03 ,  5E319AC04 ,  5E319BB11 ,  5E319BB13 ,  5E319CC61 ,  5E319CD25 ,  5E319GG15 ,  5F044KK06 ,  5F044KK11 ,  5F044LL09