特許

J-GLOBAL ID：200903011046445365

半導体装置の製造方法

発明者： 曽谷 直哉
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-235349
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050576
出願日： 2000年08月03日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】良質な結晶化膜を歩留まりよく形成することができるとともに、結晶化工程における昇降温時に非晶質膜に作用する応力を低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板101上に、数%以上の弾性変形が可能な超弾性材料を含む吸収膜103を形成する工程と、ガラス基板101上に非晶質シリコン膜105を形成する工程と、吸収膜103に電磁波を照射することにより吸収膜103を発熱させ、その熱を利用して非晶質シリコン膜105を結晶化する工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

基板上に非晶質膜を形成する工程と、前記基板上に、超弾性材料を含む吸収膜を形成する工程と、前記吸収膜に電磁波を照射することにより前記吸収膜を発熱させ、その熱を利用して前記非晶質膜を結晶化する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (29件)：

5F052AA02 ,  5F052AA22 ,  5F052AA24 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB05 ,  5F052BB06 ,  5F052CA01 ,  5F052CA04 ,  5F052CA07 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052EA12 ,  5F052EA13 ,  5F052JA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ13 ,  5F110HM15 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP11 ,  5F110QQ11