特許

J-GLOBAL ID：200903011059167186

半導体装置の製造方法およびレーザー光照射装置

発明者： 三谷 康弘
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-012240
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008205
出願日： 1998年01月26日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】 半導体薄膜上のパーティクルを効果的に除去し、TFT等のデバイス性能の均一性を向上させる半導体装置の製造方法およびレーザー光照射装置を提供する。【解決手段】 ステージ3を移動させることにより、ステージ3上のa-Si膜2を形成した絶縁性基板1を一定の移動量で同一方向に移動しながら、レーザー光4をa-Si膜2に照射し、p-Si膜5を形成する。このとき、レーザー光4の照射と同時に、石英製の吹き出し口6から400°Cに加熱したN2等の不活性ガスをa-Si膜2の表面に吹き付ける。レーザー光4の照射は、吹き出し口6越しに行う。石英製の吹き出し口6を用いているため、レーザー光4が吹き出し口6で吸収されることがなく、吹き出し口6をa-Si膜2の直上に近づけることができる。このため、パーティクル7を効果的に吹き飛ばすことができる。また、加熱した不活性ガスを吹き付けることにより、a-Si膜2の部分的な温度低下を防ぎながら、パーティクル7の除去を行うことができる。

請求項（抜粋）：

半導体薄膜に対してレーザー光を照射し、前記半導体薄膜を結晶化させる工程を有する半導体装置の製造方法において、前記半導体薄膜の前記レーザー光を照射する領域に対してその直上位置から不活性ガスを吹き付けながら、前記不活性ガスの吹き出し口越しに前記半導体薄膜に前記レーザー光を照射することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/268 G ,  H01L 21/268 F ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G