特許

J-GLOBAL ID：200903011062178342

アクティブマトリクス基板及びその製造方法

発明者： 小川 和宏 ,  小野 記久雄 ,  小西 信武
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-175705
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021459
出願日： 1992年07月02日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 電界効果移動度が高くかつその特性のばらつきが小さい多結晶Si-TFTから構成される駆動回路を画素と同一基板上に内蔵した液晶ディスプレイ用アクティブマトリクス基板を実現する。【構成】 絶縁性基板上にゲ-ト電極、ゲ-ト絶縁膜、半導体層及びソ-ス・ドレイン電極から構成するTFTを多数形成してなるアクティブマトリクス基板において、その半導体層として、Si-H2、(Si-H2)n、Si-H3の高次結合量とSi-Hの結合量との比が0.3以上、又は赤外分光測定での伸縮モ-ド吸収帯の中心値波数が2030/cm以上のa-Si:Hを形成した後、エキシマレ-ザ等を照射して改質した多結晶Siを用いる。【効果】 グレインサイズが大きく、さらには格子欠陥が少ない多結晶Siを形成することができ、高移動度で、特性のばらつきの小さいTFTが形成できる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上にゲ-ト電極、ゲ-ト絶縁膜、半導体層及びソ-ス・ドレイン電極を構成要素とする薄膜トランジスタを有するアクティブマトリクス基板において、前記半導体層にSi-H2、(Si-H2)n及びSi-H3の全結合量とSi-H結合量との比が0.3以上の水素化非晶質Siを用いたことを特徴とするアクティブマトリクス基板。

IPC (4件)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-152640
  
• 特開平3-171776
  
• 特開平4-100211