低誘電率絶縁膜の形成方法及び該方法で形成された低誘電率絶縁膜及び該低誘電率絶縁膜を用いた半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：眞鍋潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-301910
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127152
出願日： 1999年10月25日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】低誘電率絶縁膜の形成方法及び該方法で形成された低誘電率絶縁膜及び該低誘電率絶縁膜を用いた半導体装置に関し、誘電率が低く、且つ、耐熱性及び耐湿性に優れた絶縁膜を容易に作成できるようにし、高速動作が可能であると共に信頼性が高い半導体装置を実現しようとする。【解決手段】一般式1と一般式2の中から選ばれたシロキサン樹脂に一般式3に示す重量平均分子量が500〜20000のポリカルボシランをシロキサン樹脂に対し10〜70重量部を添加した組成物を溶剤に稀釈して塗布溶液とし、塗布溶液をスピン・コートしてから温度を120〔°C〕〜250〔°C〕で溶剤乾燥とシロキサンの架橋を行ない、温度が300〔°C〕以上で且つ酸素濃度が100〔ppm〕以下の不活性雰囲気中にてポリカルボシランを揮発または分解除去する。

請求項（抜粋）：

一般式1【化1】及び一般式2【化2】の中から選ばれたシロキサン樹脂に一般式3【化3】に示す重量平均分子量が500〜20000のポリカルボシランを該シロキサン樹脂に対し10〜70重量部を添加した組成物を溶剤に稀釈して塗布溶液を作成する工程と、該塗布溶液をスピン・コートしてから温度を120〔°C〕〜250〔°C〕として溶剤乾燥及びシロキサンの架橋を行なう工程と、温度が300〔°C〕以上で且つ酸素濃度が100〔ppm〕以下である不活性雰囲気中でポリカルボシランを揮発または分解除去する工程とが含まれてなることを特徴とする低誘電率絶縁膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/768 , C07F 7/04 , C08J 3/24 , C08L 83/04 , C08L 83/16

FI (6件)：

C07F 7/04 K , C08J 3/24 , C08L 83/04 , C08L 83/16 , H01L 21/90 S , H01L 21/90 V

Fターム (70件)：

4F070AA59 , 4F070AA60 , 4F070AB22 , 4F070BA02 , 4F070BA04 , 4F070CB11 , 4F070FA04 , 4F070GA01 , 4F070GA06 , 4F070GB04 , 4H049VN01 , 4H049VP05 , 4H049VP10 , 4H049VQ02 , 4H049VQ21 , 4H049VQ77 , 4H049VQ79 , 4H049VQ88 , 4H049VS77 , 4H049VS79 , 4H049VS88 , 4H049VU21 , 4H049VU24 , 4H049VW02 , 4J002CP021 , 4J002CP031 , 4J002CP041 , 4J002CP212 , 4J002GQ05 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP04 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR06 , 5F033RR14 , 5F033RR23 , 5F033SS01 , 5F033SS02 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS22 , 5F033WW03 , 5F033WW04 , 5F033XX01 , 5F033XX24 , 5F033XX27

引用特許：

審査官引用 (2件)

特公昭64-004984
特開平2-222511

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