特許
J-GLOBAL ID：200903011069210993
半導体装置およびその実装方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-115503
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316368
出願日： 1995年05月15日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 接続部でのインピーダンスの乱れが小さく、優れたミリ波帯のチップ実装を実現する。【構成】 基板100にチップをMBB実装する前に、パッド部131,132の厚さをあらかじめ線路部分103,104の厚さより薄く調節しておく。実装後の基板及びチップ側の線路と接続部の線路(パッド)厚をほぼ等しくなるようにする。これにより実装後のパッド部分の厚さを線路の厚さと同じにできるため、接合部分でのインピーダンスの乱れの小さい良好な実装を実現することができる。
請求項（抜粋）：
主面上に形成された接地導体と、前記接地導体上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された金属配線とを含むマイクロストリップ配線基板と、前記基板上にバンプを介して接続された半導体チップとを備えた、半導体装置であって、前記基板上の線路の厚さと、前記基板上の線路と前記半導体チップ上の線路との接続部分の厚さをほぼ等しくした半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 23/12 301
, H01L 21/60 301
, H01L 21/60 311
, H01L 23/04
, H01P 1/04
, H01P 3/08
, H01P 5/08
, H03H 7/38
H01L 23/12 301 C
, H01L 21/60 301 N
, H01L 21/60 311 S
, H01L 23/04 F
, H01P 1/04
, H01P 3/08
, H01P 5/08 L
, H03H 7/38
