特許
J-GLOBAL ID：200903011070568346
化合物半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-071000
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275475
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 特性、歩留り、外部回路とのインピーダンス整合の良好なGaAsMESFET、GaAs HEMT等の化合物半導体装置を提供する。。【構成】 絶縁膜の段差部分(19)に形成された片傘構造のゲート電極(25)と、該ゲート電極(25)の絶縁膜の段差部分(19)にセルフアラインにより隣接して形成されたソース電極(22)とを具備することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
絶縁膜の段差部分に形成された片傘構造のゲート電極と、該ゲート電極の前記絶縁膜の段差部分にセルフアラインにより隣接して形成されたソース電極とを具備することを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
