特許

J-GLOBAL ID：200903011076526297

半導体圧力センサ

発明者： 江田 和夫 ,  山口 周一郎 ,  西條 隆司
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-045140
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242480
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 チップサイズを大きくすることなく、感度を向上させることのできる半導体圧力センサを提供する。【解決手段】 シリコンウェハ1の一主表面にピエゾ抵抗素子2を形成し、二主表面を、開口部5が形成された窒化膜4をマスクとして異方性エッチングすることによりダイヤフラム1aを形成する。次に、シリコンウェハ1の二主表面を、開口部4aが形成された窒化膜4をマスクとして異方性エッチングすることにより、スリット状の溝部1bを形成する。

請求項（抜粋）：

ダイヤフラムを有する半導体基板と、該ダイヤフラム上に形成されたピエゾ抵抗素子とを有して成る半導体圧力センサにおいて、前記ダイヤフラム上にスリット状の溝部を複数形成したことを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (2件)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/04 101

FI (2件)：

H01L 29/84 B ,  G01L 9/04 101