特許

J-GLOBAL ID：200903011078428470

高い臨界温度を持つ超伝導材料を備えた超伝導体とその製造方法並びにこの超伝導体を備えた電流制限装置

発明者： リース、ギュンター
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-525935
公開番号（公開出願番号）：特表2001-527298
出願日： 1998年12月07日
公開日（公表日）： 2001年12月25日
要約：

【要約】電流を所定の方向に通す超伝導体(10)は金属製の基板(11)並びにこの基板に析出された電気的に絶縁性の少なくとも1つの中間層(12)と、この中間層に析出された、高い臨界温度の超伝導体層(13)とを備えた少なくとも1つの導電路(L)を備える。この導電路(L)はその超伝導体層(13)と基板(11)との間に、電流の流れ方向に延びて、超伝導体層と基板との電気的な並列接続のための、少なくとも1つの接続部(15a、15b)を有する。この超伝導体は特に電流制限装置用として使用される。

請求項（抜粋）：

金属材料からなる基板、並びにこの基板の上に配置され、前記基板に析出された電気的絶縁材料からなる少なくとも1つの中間層と、この中間層の上に析出され、高い臨界温度を持つ超伝導材料からなる少なくとも1つの超伝導体層とを含む導電路を少なくとも備え、この導電路(L、L’)の超伝導体層(13、23、33)と基板(11)との間にこの導電路に付属し、電流の通流方向に延び、これにより超伝導体層を基板と電気的に並列に接続する少なくとも1つの導電性の導電路接続部が形成されていることを特徴とする1つの所定の方向に電流を通すための超伝導体。

IPC (2件)：

H01L 39/16 ZAA ,  H02H 9/02 ZAA

FI (2件)：

H01L 39/16 ZAA ,  H02H 9/02 ZAA B

Fターム (7件)：

4M114AA10 ,  4M114AA14 ,  4M114AA29 ,  4M114BB10 ,  4M114CC02 ,  5G013BA01 ,  5G013CA02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-141913
  
• 安定化層を備えた酸化物超電導テープ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-121599   出願人：超電導発電関連機器・材料技術研究組合
• 超電導限流装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-128811   出願人：東京電力株式会社, 株式会社東芝
• 特開平1-190217