特許

J-GLOBAL ID：200903011080218297

有機トランジスタ装置

発明者： 光武 邦寛
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-351850
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165123
出願日： 2004年12月03日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：

【課題】 メモリ機能が良好な有機トランジスタ装置を提供する。【解決手段】 ソース電極3と、ドレイン電極4と、有機半導体層1と、その上面もしくは下面に設けた絶縁層11と、その絶縁層11の中に設けた浮遊電極12と、その絶縁層の近傍に設けた制御電極5を有する有機トランジスタ装置からなり、前記浮遊電極12に蓄積した電荷の有無あるいは符合の違いを利用して情報を記憶する有機トランジスタ装置。前記浮遊電極が無機半導体材料、多結晶シリコンを含むことが好ましい。前記浮遊電極の外側の絶縁層が酸化シリコンを含むことが好ましい。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ソース電極と、ドレイン電極と、有機半導体層と、該有機半導体層の上面側もしくは下面側に設けた絶縁層と、その絶縁層の中に設けた浮遊電極と、前記浮遊電極の電荷を制御するための制御電極を有する有機トランジスタ装置を含み構成され、前記浮遊電極に蓄積した電荷の有無あるいは符合の違いを利用して情報を記憶することを特徴とする有機トランジスタ装置。

IPC (7件)：

H01L 21/824 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788 ,  H01L 27/28 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/115

FI (6件)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 449 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 613B ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/28

Fターム (31件)：

5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083ER03 ,  5F083ER07 ,  5F083ER14 ,  5F083ER17 ,  5F083FZ07 ,  5F083GA21 ,  5F083HA10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F101BA01 ,  5F101BB05 ,  5F101BC01 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB08 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110HK02 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 不揮発性有機半導体記憶素子及びそれを有する非接触情報管理表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-362948   出願人：株式会社リコー