特許

J-GLOBAL ID：200903011081846240

半導体電力変換装置

発明者： 小川 真一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-310289
公開番号（公開出願番号）：特開平9-147733
出願日： 1995年11月29日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】ヒューズの自然溶断や事故時の電力変換装置の保護に問題を生じない大電力の半導体電力変換装置を実現すること。【解決手段】半導体素子に直列接続されるヒューズを内蔵し複数のヒューズを並列接続してなる大電力の半導体電力変換装置において、並列接続されたヒューズのそれぞれの周囲に磁性体を配置する。【効果】並列接続されたヒューズそれぞれはほぼ同じインピーダンスとすることができ複数のヒューズに流れる電流はバランスするため、ヒューズの自然溶断や事故時の電力変換装置の保護に問題を生じない大電力の半導体電力変換装置を実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体素子に直列接続されるヒューズを内蔵し、複数のヒューズを並列接続してなる大電力の半導体電力変換装置において、並列接続された前記複数のヒューズのそれぞれの周囲に磁性体を配置したことを特徴とする半導体電力変換装置。

IPC (5件)：

H01H 85/46 ,  H01H 85/00 ,  H02M 1/00 ,  H02M 7/155 ,  H02M 7/48

FI (5件)：

H01H 85/46 ,  H01H 85/00 L ,  H02M 1/00 H ,  H02M 7/155 A ,  H02M 7/48 M