固体撮像装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-136842
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330560
出願日： 1995年06月02日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】温度依存性を低減して精度の良い色識別が可能な固体撮像装置を提供する。【構成】 2色分解型カラーセンサ100が受光すると、受光した光の波長に応じた比率で、電極111と電極121との間に電流信号I1および電極121と電極131との間に電流信号I2が生じる。電流信号I1、I2は積分回路210、220で積分された後、アナログデジタル変換器310、320でデジタル信号に変換された後、演算回路400に入力する。演算回路400では、オフセット値を除去後、2系統の計測結果データの比の値を演算する。処理部500は、演算回路400から出力されているデジタル信号のデータを収集し、収集データ値から受光した光の色を識別する。

請求項（抜粋）：

第1の導電型を有する第1の半導体層と、前記第1の半導体層の表面の一部に形成された、第2の導電型を有する第2の半導体層と、前記第2の半導体層の表面の一部に形成された、前記第1の導電型を有する第3の半導体層と、前記第1の半導体層の前記第2の半導体層が形成されていない表面の一部に形成された第1の電極と、前記第2の半導体層の前記第3の半導体層が形成されていない表面の一部に形成された第2の電極と、前記第3の半導体層の表面の一部に形成された第3の電極とを備えるとともに、前記第1の半導体層、前記第2の半導体層、および前記第3の半導体層は光吸収率が波長依存性を有する半導体材料を主材として形成され、前記第3の半導体層の表面側から受光する受光器と、前記第1の電極と前記第2の電極との間への逆バイアス電圧の印加中の受光によって前記第1の電極と前記第2の電極との間に生じた第1の光電流信号を入力し、積分する第1の積分回路と、前記第2の電極と前記第3の電極との間への逆バイアス電圧の印加中の受光によって前記第2の電極と前記第3の電極との間に生じた第2の光電流信号を入力し、積分する第2の積分回路と、を備えることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (4件)：

H01L 27/146 , G01J 1/02 , H04N 9/07 , H01L 31/10

FI (4件)：

H01L 27/14 A , G01J 1/02 Q , H04N 9/07 A , H01L 31/10 G

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-144325
特開平2-271223
特開平4-003588

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