特許
J-GLOBAL ID：200903011088415792
集光型太陽電池素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-268482
公開番号（公開出願番号）：特開平10-117004
出願日： 1996年10月09日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：
【要約】【課題】 キャリア再結合や土手部へのキャリアの流れ込みを抑制でき、光電変換効率を向上できる集光型太陽電池素子を提供する。【解決手段】 p型シリコンで構成されたシリコン基板12上に形成された受光部10の表面にp+ 拡散層16が形成されている。このp+ 拡散層16とシリコン基板12との間にはエネルギ勾配が生じるので、受光部10に太陽光が照射されてシリコン基板12中に生じたキャリアのうち少数キャリアである自由電子が、表面側に移動することを防止でき、表面の格子欠陥による自由電子の再結合を防止できる。また、受光部10の周囲の土手部14の裏面側にもp+ 拡散層16が形成されており、上記エネルギ勾配の作用により、少数キャリアの自由電子が土手部14へ流れ込むことを防止できる。以上の結果、光電変換効率を向上できる。
請求項（抜粋）：
受光部の裏面に電極が形成された裏面電極型の結晶シリコン集光型太陽電池素子であって、前記受光部表面に、使用するシリコン基板の10倍から100倍の濃度を有するp+ 拡散層またはn+ 拡散層が形成されていることを特徴とする集光型太陽電池素子。
引用特許：
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