特許
J-GLOBAL ID：200903011095039402
半導体素子の温度特性測定方法および測定装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-349120
公開番号（公開出願番号）：特開平5-157632
出願日： 1991年12月05日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子の特性パラメ-タの温度変化は、従来、半導体素子を熱容量の大きいヘッダに取り付け恒温槽に入れて測定していた。これでは時間がかかるので、より短時間、低コストで温度特性を測定することが目的である。【構成】 ある特性パラメ-タの温度変化を予め少数のサンプルについて測定しておく。半導体素子を断熱材の上に置いて、光を当てることによって昇温する。半導体素子に触針を当てて温度特性が既知のパラメ-タと、未知のパラメ-タの両方を測定する。温度特性が既知のパラメ-タから温度を求めるようにする。
請求項（抜粋）：
断熱性のあるテ-ブルの上に半導体素子を置き、その半導体素子について温度特性が既知である物理量K(T)を測定する手段と温度特性を測定しようとする未知物理量Uを測定する手段とを半導体素子及びその近傍に取り付け、光照射によって半導体素子の温度を変化させつつ、既知の温度特性の物理量K(T)と温度特性の未知である物理量を同時的に測定し、温度特性既知の物理量からその時の半導体素子の温度を求め、同時的に得られた温度特性が未知の物理量のその温度での値U(T)とすることを特徴とする半導体素子の温度測定方法。
IPC (3件)：
G01K 11/00
, G01K 7/00 381
, H01L 21/66
