特許
J-GLOBAL ID：200903011096344098
半導体基板の急速熱酸化装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-173515
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020938
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 放射温度計を用いて測温精度の高い半導体基板の急速熱酸化装置を提供する。【構成】 半導体基板1を挟んでその上下面にそれぞれ対向して互いに直交するように配列した複数の加熱ランプ群3,4を用いて半導体基板1を急速加熱し、上面側の反射板5に穿設した開孔部11を介して半導体基板1の上面の温度を放射温度計7で測定する際に、半導体基板1の反測定面と下面加熱ランプ群4との間に開閉自在に配置された遮光シャッタ12によって下面加熱ランプ群4からの輻射光を遮蔽するようにすることにより、半導体基板1の表面温度を高い精度で測定することを可能にする。。
請求項（抜粋）：
半導体基板を挟んでその上下面にそれぞれ対向して互いに直交するように配列される複数の加熱ランプ群と該上下面加熱ランプ群を覆う反射板とからなる急速加熱ランプ装置と、前記反射板の一方に穿設される開孔部を介して前記半導体基板の一方の表面の温度を測定する放射温度計と、前記半導体基板の反測定面と前記加熱ランプ群との間に開閉自在に配置されて該加熱ランプ群からの輻射光を遮蔽する遮光シャッタとを備えたことを特徴とする半導体基板の急速熱酸化装置。
IPC (2件)：
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