特許
J-GLOBAL ID：200903011099647636
配線形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-206121
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029254
出願日： 1991年07月24日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 層間絶縁膜に起因するバリヤメタルの酸化を防止しながら、高アスペクト比の接続孔をAl系材料層で均一に埋め込む。【構成】 PSG層間絶縁膜2に開口されたスルー・ホール2aの側壁面に、エッチバックによりSiNx サイド・ウォール3aを形成する。その後、Ti層4を形成し、高温スパッタリング法によりAl-1%Si層5を形成する。高温スパッタリング時のウェハ加熱によりPSG層間絶縁膜2からは残留水分や酸素が放出されるが、少なくともスルー・ホール2aの側壁面ではこれらがSiNx サイド・ウォール3aにより遮断されるので、Ti層4は酸化されない。スルー・ホール2aは、Ti層4とAl-1%Si層5との界面反応により埋め込まれる。層間絶縁膜そのものをSiNx で構成しても良い。
請求項（抜粋）：
基板上の酸化シリコン系絶縁膜に接続孔を開口する工程と、少なくとも前記接続孔の側壁面に窒化シリコン層を形成する工程と、少なくとも前記接続孔内部の側壁面および底面に下地層を形成する工程と、前記基板を加熱しながら少なくとも前記接続孔を充填するごとくアルミニウム系材料層を形成する工程とを有することを特徴とする配線形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/90
, H01L 21/318
