特許
J-GLOBAL ID:200903011102724213
自動欠陥検査装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
岡田 守弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-245739
公開番号(公開出願番号):特開2000-076457
出願日: 1998年08月31日
公開日(公表日): 2000年03月14日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、電子ビームを試料上のパターンに照射して生成した画像をもとにパターンの欠陥を検査する自動欠陥検査装置に関し、画像上で欠陥認識および欠陥位置検出を自動的に行うと共にしかも効率よく行うことを目的とする。【解決手段】 電子ビームを試料上のパターンに走査する走査手段と、上記試料上のパターンを電子ビームで走査したときに放出された2次電子、反射された反射電子、試料に吸収された吸収電子、あるいは試料の穴を通過した通過電子を検出して画像を生成する手段と、生成された画像中の所定の方向の画素列f(n)を抽出する手段と、抽出した画素列f(n)についてある画素nから所定画素数Δn離れた画素までの値の総和と、ある画素nから所定画素数-Δn離れた画素までの値の総和との差を求めて、欠陥画素部分の新たな画素列g(n)を生成する手段とを備えるように構成する。
請求項(抜粋):
電子ビームを試料上のパターンに照射して生成した画像をもとにパターンの欠陥を検査する欠陥検査装置において、電子ビームを試料上のパターンに走査する走査手段と、上記試料上のパターンを電子ビームで走査したときに放出された2次電子、反射された反射電子、試料に吸収された吸収電子、あるいは試料の穴を通過した通過電子を検出して画像を生成する手段と、上記生成された画像中の所定の方向の画素列f(n)(画素nでの強度をf(n)とする)を抽出する手段と、上記抽出した画素列f(n)についてある画素nから所定画素数Δn離れた画素までの値(強度)の総和と、ある画素nから所定画素数-Δn離れた画素までの値(強度)の総和との差を求めて、欠陥画素部分の新たな画素列g(n)(画素(n)での強度をg(n)とする)を生成する手段とを備えたことを特徴とする自動欠陥検査装置。
IPC (4件):
G06T 7/00
, G01N 23/225
, H01J 37/22 502
, H01L 21/66
FI (4件):
G06F 15/62 400
, G01N 23/225
, H01J 37/22 502 H
, H01L 21/66 J
Fターム (43件):
2G001AA03
, 2G001BA07
, 2G001BA11
, 2G001BA14
, 2G001CA03
, 2G001FA01
, 2G001FA06
, 2G001GA01
, 2G001GA06
, 2G001GA09
, 2G001GA10
, 2G001GA13
, 2G001HA01
, 2G001HA07
, 2G001HA13
, 2G001JA02
, 2G001JA03
, 2G001JA05
, 2G001JA13
, 2G001KA03
, 2G001LA11
, 2G001MA05
, 2G001SA02
, 4M106AA01
, 4M106AA09
, 4M106BA02
, 4M106CA39
, 4M106DB05
, 4M106DB21
, 4M106DJ14
, 4M106DJ15
, 5B057AA03
, 5B057BA01
, 5B057CA08
, 5B057CA12
, 5B057CA16
, 5B057CB06
, 5B057CB08
, 5B057CB12
, 5B057CB16
, 5B057CC01
, 5B057DA03
, 5B057DB02
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