特許

J-GLOBAL ID：200903011106706643

シリサイド膜の作製方法

発明者： 坂本 仁志 ,  中野 浩児 ,  堀江 哲弘
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-213474
公開番号（公開出願番号）：特開平9-059013
出願日： 1995年08月22日
公開日（公表日）： 1997年03月04日
要約：

【要約】【課題】 シリサイド組成の連続的な制御も可能にするシリサイド膜の作製方法を提供しようとするものである。【解決手段】 差動排気系を有する電子線源を備えた真空反応容器に成長用基板を収容し、金属ハロゲン化物ガスと、シリコン水素化物ガスを独立した分子線として前記基板上に供給することを特徴とするシリサイド膜の作製方法である。

請求項（抜粋）：

差動排気系を有する電子線源を備えた真空反応容器に成長用基板を収容し、金属ハロゲン化物ガスと、シリコン水素化物ガスを独立した分子線として前記基板上に供給し、電子線を照射してシリサイド膜を成長することを特徴とするシリサイド膜の作製方法。

IPC (5件)：

C01B 33/06 ,  B01J 19/12 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/285 301

FI (5件)：

C01B 33/06 ,  B01J 19/12 G ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/285 301 S

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-093380
  
• 特開昭63-177413