発光ダイオード及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-164818
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012917
出願日： 1996年06月25日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】エピタキシャル層厚を薄くして大電流域での発光出力の低下を防止するとともに、薄くしたエピタキシャル層を機械的に補強して製造プロセス中のウェハの割れを低減する。【解決手段】GaAs基板8上にp型AlGaAsウインドウ層3、p型AlGaAs活性層4、n型AlGaAsクラッド層5を順次成長してダブルヘテロ構造のpn接合を有するエピタキシャルウェハ13を形成する。このときクラッド層5を薄くしてエピタキシャル層12全厚を100μm以下に抑える。ウェハ13のクラッド層5上に部分電極1と反射膜2を形成した後に、この部分電極1と反射膜2上にAu-Sn共晶合金6を介して金属板7を貼り付ける。金属板7を貼り付けて、ウェハを補強してからGaAs基板8を研磨除去をする。

請求項（抜粋）：

クラッド層、活性層、ウインドウ層でダブルヘテロ構造のpn接合を形成したエピタキシャル層を有し、活性層で発生した光のうちクラッド層側に向かった光をクラッド層の表面で反射してウインドウ層側から取り出すようにした裏面反射型の発光ダイオードにおいて、エピタキシャル層のクラッド層側に補強用の金属板が貼り付けられている発光ダイオード。

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