特許

J-GLOBAL ID：200903011116599756

イオンプレーティング装置

発明者： 笹川 孝市 ,  北村 和夫 ,  大山口 まき子
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-315449
公開番号（公開出願番号）：特開平7-166335
出願日： 1993年12月15日
公開日（公表日）： 1995年06月27日
要約：

【要約】【目的】 構成物質の相異なる多層膜を連続的に成膜する場合でも、成膜出来なくなったり、成膜出来ても、他の蒸発物が混入し、膜の純度が落ちるような現象のない、イオンプレーティング装置を提供する。【構成】 イオンプレーティング装置において、蒸発物るつぼを、「1つの凹部を形成する導電性の容器」の複数と、これら複数の容器を保持する絶縁性の本体とから構成し、所定の凹部を形成する容器に選択的に導通する陽極を備えたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

プラズマを発生させるためのプラズマ生成手段、陰極を兼用する基板支持手段、蒸発物を入れるための凹部を複数持つ蒸発物るつぼ、前記プラズマを所定の凹部に入れられた所定の蒸発物に集束させて前記蒸発物を加熱するために所定の凹部の下に配置された磁界発生手段、前記るつぼを回転させることにより、所定の凹部を前記磁界発生手段の上に位置させる回転手段、真空槽、及び該真空槽内を真空に排気するための排気手段からなるイオンプレーティング装置において、前記蒸発物るつぼを、「1つの前記凹部を形成する導電性の容器」の複数と、これら複数の容器を保持する絶縁性の本体とから構成し、前記所定の凹部を形成する前記容器に選択的に導通する陽極を備えたことを特徴とする装置。