特許
J-GLOBAL ID：200903011117682002
マスクパターン作成方法およびマスクパターン作成装置並びにマスク作成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-161627
公開番号（公開出願番号）：特開平11-007120
出願日： 1997年06月18日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：
【要約】【課題】 転写性能を向上させるための補助パターンを含むマスクパターンを容易に作成する。【解決手段】 補助パターンの作成工程として、原パターン作成手段において作成された原パターンに基づいて、原パターンの周囲に補助パターン禁止帯を設定する工程と(ステップS1)、この工程により設定された補助パターン禁止帯に基づいて、補助パターン禁止帯の周囲に補助パターン作成領域を設定する工程と(ステップS2)、この工程により設定された補助パターン作成領域に基づいて所定の幅の補助パターンを作成する工程(ステップS3)とを含んでいる。このように補助パターンが作成されることで、例えば、隣り合う2本の補助パターン同士が接触したり重なったりすることを防止でき、原パターンが繰り返し性のない複雑な場合でも、補助パターンを容易に作成することができる。
請求項（抜粋）：
ウェハ基板に転写される原パターンと、この原パターンの転写性能を向上させる補助パターンとを含むマスクパターンを作成するマスクパターン作成方法において、前記ウェハ基板に転写される原パターンを作成する工程と、この工程により作成された原パターンの外周に所定の幅を設定して前記原パターンが拡大された原パターン拡大領域を設定し、この原パターン拡大領域を前記補助パターンの作成を禁止する補助パターン禁止帯として設定する工程と、この工程により設定された補助パターン禁止帯の外周に所定の幅を設定して前記補助パターン禁止帯が拡大された禁止帯拡大領域を設定し、この禁止帯拡大領域から前記補助パターン禁止帯を除いた領域を前記補助パターン作成用の補助パターン作成領域として設定する工程と、この工程により設定された補助パターン作成領域を所定の幅に縮小して前記補助パターンを作成する工程とを含むことを特徴とするマスクパターン作成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
